ASTM F1153-1992(2002) 用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
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时间:2024-05-14 13:26:48
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【英文标准名称】:StandardTestMethodforCharacterizationofMetal-Oxide-Silicon(MOS)StructuresbyCapacitance-VoltageMeasurements
【原文标准名称】:用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
【标准号】:ASTMF1153-1992(2002)
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1992
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:试验;电子工程;描述;电容器;硅氧烷;金属氧化物
【英文主题词】:capacitance-voltage;carrierconcentration;fixedchargedensity;flatbandcapacitance;flatbandvoltage;metal-oxide-siliconstructures;mobileioniccharge;MOSstructures;silicon
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethodcoversproceduresformeasurementofmetal-oxide-silicon(MOS)structuresforflatbandcapacitance,flatbandvoltage,averagecarrierconcentrationwithinadeplet
【中国标准分类号】:L11
【国际标准分类号】:31_060_01
【页数】:7P.;A4
【正文语种】:
【原文标准名称】:用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
【标准号】:ASTMF1153-1992(2002)
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1992
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:试验;电子工程;描述;电容器;硅氧烷;金属氧化物
【英文主题词】:capacitance-voltage;carrierconcentration;fixedchargedensity;flatbandcapacitance;flatbandvoltage;metal-oxide-siliconstructures;mobileioniccharge;MOSstructures;silicon
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethodcoversproceduresformeasurementofmetal-oxide-silicon(MOS)structuresforflatbandcapacitance,flatbandvoltage,averagecarrierconcentrationwithinadeplet
【中国标准分类号】:L11
【国际标准分类号】:31_060_01
【页数】:7P.;A4
【正文语种】:
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